偏置補償



到目前為止,我們已經看到了不同的穩定技術。穩定性是由於負反饋作用引起的。負反饋雖然提高了工作點的穩定性,但也降低了放大器的增益。

由於放大器的增益是一個非常重要的考慮因素,因此使用一些補償技術來保持優良的偏置和熱穩定性。現在讓我們一起了解一下這些偏置補償技術。

二極體補償不穩定性

這些電路使用二極體實現補償技術,以處理偏置不穩定性。穩定技術指的是使用電阻偏置電路,允許IB變化以保持IC相對恆定。

有兩種型別的二極體補償方法。它們是:

  • 由於VBE變化引起的二極體補償不穩定性
  • 由於ICO變化引起的二極體補償不穩定性

讓我們詳細瞭解這兩種補償方法。

由於VBE變化引起的二極體補償不穩定性

在矽電晶體中,VBE值的改變會導致IC的變化。為了補償VBE或ICO的變化,可以在發射極電路中使用二極體。由於使用的二極體和電晶體是同種材料,因此二極體上的電壓VD與電晶體的VBE具有相同的溫度係數。

下圖顯示了具有穩定性和補償的自偏置。

Self Bias

二極體D由電源VDD和電阻RD正向偏置。VBE隨溫度的變化與VD隨溫度的變化相同,因此(VBE – VD)保持恆定。因此,即使VBE變化,IC也保持恆定。

由於ICO變化引起的二極體補償不穩定性

下圖顯示了使用二極體D補償ICO變化的電晶體放大器的電路圖。

Compensation

因此,二極體的反向飽和電流IO將隨著溫度以與電晶體集電極飽和電流ICO相同的速率增加。

$$I = \frac{V_{CC} - V_{BE}}{R} \cong \frac{V_{CC}}{R} = 常數$$

二極體D由VBE反向偏置,其電流為反向飽和電流IO

現在基極電流為:

$$I_B = I - I_O$$

將上述值代入集電極電流的表示式。

$$I_C = \beta (I - I_O) + (1 + \beta)I_{CO}$$

如果β ≫ 1,

$$I_C = \beta I - \beta I_O + \beta I_{CO}$$

I幾乎是恆定的,如果二極體的IO和電晶體的ICO在工作溫度範圍內相互跟蹤,則IC保持恆定。

其他補償

還有其他補償技術,指的是使用溫度敏感器件(如二極體、電晶體、熱敏電阻、敏敏電阻等)來補償電流變化。

這種方法中有兩種常用的電路,一種使用熱敏電阻,另一種使用敏敏電阻。讓我們來看看它們。

熱敏電阻補償

熱敏電阻是一種溫度敏感器件。它具有負溫度係數。熱敏電阻的電阻在溫度降低時會增加,在溫度升高時會降低。下圖顯示了具有熱敏電阻補償的自偏置放大器。

Thermistor

在放大器電路中,ICO、VBE和β隨溫度的變化會增加集電極電流。使用熱敏電阻來最小化集電極電流的增加。隨著溫度升高,熱敏電阻RT的電阻降低,這會增加透過它的電流和電阻RE的電流。現在,RE上產生的電壓增加,這反向偏置了發射極結。這種反向偏壓非常高,以至於提供正向偏壓的電阻R1和R2的作用也減弱了。此動作降低了集電極電流的上升。

因此,熱敏電阻的溫度敏感性補償了由於溫度引起的集電極電流的增加。

敏敏電阻補償

敏敏電阻是一種重摻雜半導體,具有正溫度係數。敏敏電阻的電阻隨溫度升高而增加,隨溫度降低而降低。下圖顯示了具有敏敏電阻補償的自偏置放大器。

Sensistor

在上圖中,敏敏電阻可以並聯放置在R1或RE上。隨著溫度升高,並聯組合(熱敏電阻和R1)的電阻增加,其電壓降也增加。這會降低R2上的電壓降。由於此電壓的降低,淨正向發射極偏置降低。結果,IC降低。

因此,透過使用敏敏電阻,可以控制由於ICO、VBE和β因溫度而增加而引起的集電極電流的上升。

熱阻

電晶體是一種依賴於溫度的器件。當電晶體工作時,集電極結會產生大量的電子流,因此會產生大量的熱量。如果產生的熱量超過允許的限度,則會損壞結,從而損壞電晶體。

為了保護自己免受損壞,電晶體將熱量從結散到電晶體外殼,然後從外殼散到周圍的空氣中。

設周圍空氣的環境溫度 = TAoC

以及電晶體集電極-基極結的溫度 = TJoC

由於TJ > TA,差值TJ - TA越大,電晶體中耗散的功率PD就越大。因此,

$$T_J - T_A \propto P_D$$

$$T_J - T_A = HP_D$$

其中H是比例常數,稱為熱阻

熱阻是從結到周圍空氣的熱流阻力。用H表示。

$$H = \frac{T_J - T_A}{P_D}$$

H的單位是oC/瓦。

如果熱阻低,則電晶體向空氣的熱傳遞將很容易。如果電晶體外殼更大,則散熱效果會更好。這是透過使用散熱器實現的。

散熱器

處理較大功率的電晶體在執行過程中會散發出更多熱量。如果此熱量未得到適當的散發,可能會損壞電晶體。因此,功率電晶體通常安裝在大型金屬外殼上,以提供更大的面積來散發其執行過程中產生的熱量。

Heat Sink

有助於散發電晶體額外熱量的金屬片稱為散熱器。散熱器的能力取決於其材料、體積、面積、形狀、外殼和散熱器之間的接觸以及散熱器周圍的空氣運動。

選擇散熱器時需要考慮所有這些因素。該影像顯示了一個帶散熱器的功率電晶體。

上圖中微小的電晶體固定在一個較大的金屬片上,以散發其熱量,防止電晶體損壞。

熱失控

使用散熱器可以避免熱失控問題。這是一種溫度升高會導致進一步升高溫度,最終導致器件本身被破壞的情況。這是一種不受控制的正反饋。

散熱器並非唯一需要考慮的因素;其他因素,如工作點、環境溫度和使用的電晶體型別也可能導致熱失控。

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