基於配置

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任何電晶體放大器都使用電晶體放大訊號，該電晶體以三種配置之一連線。對於放大器來說，最好具有高輸入阻抗，以避免多級電路中的負載效應，並具有較低的輸出阻抗，以便向負載提供最大輸出。電壓增益和功率增益也應該很高，以產生更好的輸出。

現在讓我們研究不同的配置，以瞭解哪種配置更適合電晶體作為放大器工作。

共基放大器

使用CB配置的電晶體組合形成的放大器電路稱為CB放大器。

結構

使用NPN電晶體的共基放大器電路如下所示，輸入訊號施加在發射極基極結上，輸出訊號從集電極基極結取出。

發射極基極結由V_EE正向偏置，集電極基極結由V_CC反向偏置。工作點藉助電阻Re和R_c進行調整。因此，I_c、I_b和I_cb的值由V_CC、V_EE、R_e和R_c決定。

操作

當沒有施加輸入時，形成靜止條件，並且沒有輸出。由於V_be相對於地為負，因此對於輸入訊號的正半週期，正向偏置減小。因此，基極電流I_B也減小。

下圖顯示了具有自偏置電路的CB放大器。

眾所周知，

$$I_C \cong I_E \cong \beta I_B$$

集電極電流和發射極電流都減小。

R_C上的電壓降為

$$V_C = I_C R_C$$

此V_C也減小。

由於I_CR_C減小，V_CB增大。這是因為，

$$V_{CB} = V_{CC} - I_C R_C$$

因此，產生正半週期輸出。

在CB配置中，正輸入產生正輸出，因此輸入和輸出同相。因此，在CB放大器中，輸入和輸出之間沒有相位反轉。

如果將CB配置考慮用於放大，則它具有低輸入阻抗和高輸出阻抗。與CE配置相比，電壓增益也較低。因此，CB配置的放大器用於高頻應用。

共射放大器

使用CE配置的電晶體組合形成的放大器電路稱為CE放大器。

結構

使用NPN電晶體的共射放大器電路如下所示，輸入訊號施加在發射極基極結上，輸出訊號從集電極基極結取出。

發射極基極結由V_EE正向偏置，集電極基極結由V_CC反向偏置。工作點藉助電阻R_e和R_c進行調整。因此，I_c、I_b和I_cb的值由V_CC、V_EE、R_e和R_c決定。

操作

當沒有施加輸入時，形成靜止條件，並且沒有輸出。當施加訊號的正半週期時，基極與發射極之間的電壓V_be增大，因為它相對於地已經為正。

隨著正向偏置的增加，基極電流也相應增加。由於I_C = βI_B，集電極電流也增加。

以下電路圖顯示了具有自偏置電路的CE放大器。

當集電極電流流過R_C時，電壓降增大。

$$V_C = I_C R_C$$

結果，集電極與發射極之間的電壓降低。因為，

$$V_{CB} = V_{CC} - I_C R_C$$

因此，放大電壓出現在R_C上。

因此，在CE放大器中，由於正向訊號作為負向訊號出現，因此可以理解輸入和輸出之間存在180^o的相移。

CE放大器的輸入阻抗高於CB放大器，輸出阻抗低於CB放大器。CE放大器的電壓增益和功率增益也較高，因此它主要用於音訊放大器。

共集放大器

使用CC配置的電晶體組合形成的放大器電路稱為CC放大器。

結構

使用NPN電晶體的共集放大器電路如下所示，輸入訊號施加在基極集電極結上，輸出訊號從發射極集電極結取出。

發射極基極結由V_EE正向偏置，集電極基極結由V_CC反向偏置。I_b和I_e的Q值由R_b和R_e調整。

操作

當沒有施加輸入時，形成靜止條件，並且沒有輸出。當施加訊號的正半週期時，正向偏置增大，因為V_be相對於集電極或地為正。由此，基極電流I_B和集電極電流I_C增大。

以下電路圖顯示了具有自偏置電路的CC放大器。

因此，R_e上的電壓降，即輸出電壓增大。結果，獲得正半週期。由於輸入和輸出同相，因此沒有相位反轉。

如果將CC配置考慮用於放大，儘管CC放大器的輸入阻抗高於CE放大器，輸出阻抗低於CE放大器，但CC的電壓增益非常小，這限制了其僅用於阻抗匹配的應用。

CB CE CC放大器之間的比較

讓我們比較CB、CE和CC放大器的特性細節。

由於相容性和特性，共射配置主要用於放大器電路。