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基礎電子學 - 電晶體
在瞭解了二極體(一個單PN接面)的工作原理後,讓我們嘗試連線兩個PN接面,形成一個名為電晶體的新元件。電晶體是一種三端半導體器件,它可以調節電流或電壓的流動,並充當訊號的開關或門。
為什麼我們需要電晶體?
假設您有一個接收您想要訊號的調頻收音機。由於在傳輸過程中會遇到干擾,因此接收到的訊號顯然會很弱。如果直接讀取此訊號,則無法獲得良好的輸出。因此,我們需要放大訊號。放大表示增加訊號強度。
這只是一個例子。在任何需要增加訊號強度的地方都需要放大。這是由電晶體完成的。電晶體還可以充當開關,在可用選項之間進行選擇。它還可以調節訊號的輸入電流和電壓。
電晶體的結構細節
電晶體是一種三端固態器件,透過將兩個二極體背靠背連線形成。因此,它具有兩個PN接面。從其中的三個半導體材料引出三個端子。這種連線方式提供了兩種型別的電晶體。它們是PNP和NPN,這意味著兩個P型材料之間有一個N型材料,另一個是兩個N型材料之間有一個P型材料。
電晶體的結構如下圖所示,解釋了上述想法。
從電晶體引出的三個端子分別表示發射極、基極和集電極端子。它們的功能如下所述。
發射極
上圖結構的左側可以理解為發射極。
它具有中等尺寸並且摻雜濃度高,因為其主要功能是提供大量的多數載流子,即電子或空穴。
由於它發射電子,因此稱為發射極。
它用字母E表示。
基極
上圖中的中間材料是基極。
它很薄且摻雜濃度低。
其主要功能是將多數載流子從發射極傳遞到集電極。
它用字母B表示。
集電極
上圖中的右側材料可以理解為集電極。
其名稱暗示了其收集載流子的功能。
它的大小比發射極和基極略大。它摻雜濃度中等。
它用字母C表示。
PNP和NPN電晶體的符號如下所示。
上圖中的箭頭表示電晶體的發射極。由於電晶體的集電極必須耗散更大的功率,因此它的尺寸較大。由於發射極和集電極的特定功能,它們不可互換。因此,在使用電晶體時,始終要注意端子。
在實際電晶體中,發射極引線附近有一個缺口用於識別。可以使用萬用表區分PNP和NPN電晶體。下圖顯示了不同實際電晶體的外觀。
到目前為止,我們已經討論了電晶體的結構細節,但是要了解電晶體的工作原理,首先需要了解偏置。
電晶體偏置
眾所周知,電晶體是由兩個二極體組成的,這裡有兩個結。由於一個結位於發射極和基極之間,因此稱為發射極-基極結,同樣,另一個是集電極-基極結。
偏置是透過提供電源來控制電路的操作。透過向電路提供一些直流電源,可以控制兩個PN接面的功能。下圖顯示了電晶體是如何偏置的。
透過觀察上圖,可以瞭解到
N型材料提供負電源,P型材料提供正電源以使電路正向偏置。
N型材料提供正電源,P型材料提供負電源以使電路反向偏置。
透過施加電源,發射極-基極結始終正向偏置,因為發射極電阻非常小。集電極-基極結反向偏置,並且其電阻略高。發射極結需要小的正向偏置,而集電極結需要施加高的反向偏置。
上述電路中指示的電流方向,也稱為常規電流,是空穴電流的運動,它與電子電流相反。
PNP電晶體的工作原理
可以透過觀察下圖來解釋PNP電晶體的工作原理,其中發射極-基極結正向偏置,集電極-基極結反向偏置。
電壓VEE在發射極提供正電位,排斥P型材料中的空穴,這些空穴穿過發射極-基極結到達基區。那裡只有一小部分空穴與N區的自由電子複合。這產生了非常小的電流,構成基極電流IB。其餘的空穴穿過集電極-基極結,構成集電極電流IC,它是空穴電流。
當空穴到達集電極端子時,來自電池負極的電子填充集電極中的空間。此電流緩慢增加,並且電子少數載流子電流流過發射極,其中每個進入VEE正極的電子都被空穴取代,空穴向發射極結移動。這構成了發射極電流IE。
因此,我們可以理解:
- PNP電晶體中的傳導是透過空穴進行的。
- 集電極電流略小於發射極電流。
- 發射極電流的增加或減少會影響集電極電流。
NPN電晶體的工作原理
可以透過觀察下圖來解釋NPN電晶體的工作原理,其中發射極-基極結正向偏置,集電極-基極結反向偏置。
電壓VEE在發射極提供負電位,排斥N型材料中的電子,這些電子穿過發射極-基極結到達基區。那裡只有一小部分電子與P區的自由空穴複合。這產生了非常小的電流,構成基極電流IB。其餘的空穴穿過集電極-基極結,構成集電極電流IC。
當電子到達集電極端子並進入電池的正極時,來自電池VEE負極的電子進入發射極區域。此電流緩慢增加,並且電子電流流過電晶體。
因此,我們可以理解:
- NPN電晶體中的傳導是透過電子進行的。
- 集電極電流高於發射極電流。
- 發射極電流的增加或減少會影響集電極電流。
優點
電晶體有很多優點,例如:
- 高電壓增益。
- 所需的電源電壓較低。
- 最適合低功耗應用。
- 體積小,重量輕。
- 機械強度比真空管強。
- 不需要像真空管那樣進行外部加熱。
- 非常適合與電阻和二極體整合以生產積體電路。
也有一些缺點,例如,由於功耗較低,它們不能用於高功耗應用。它們具有較低的輸入阻抗並且受溫度影響。