BJT和MOSFET的區別

雙極結型電晶體（BJT）是用於訊號開關和放大的一種三端半導體器件。另一方面，MOSFET是一種用於開關應用的四端半導體器件。閱讀本文以瞭解更多關於BJT和MOSFET的資訊，以及它們之間是如何不同的。

什麼是BJT？

BJT代表雙極結型電晶體。它是一種電晶體，其中電流流動是由於兩種型別的載流子即電子和空穴造成的。BJT由三層交替的P型和N型半導體材料和兩個PN接面組成。BJT有三個端子，即發射極（E）、基極（B）和集電極（C）。

當P型半導體材料夾在兩個N型層之間時，雙極結型電晶體被稱為NPN電晶體。當N型層夾在兩個P型層之間時，得到的BJT被稱為PNP電晶體。

MOSFET代表金氧半導體場效應電晶體。它是一種四端半導體器件，其端子為：源極（S）、漏極（D）、柵極（G）和體（或襯底）。MOSFET是一種具有MOS結構的場效應電晶體。MOSFET是高速、低損耗的電晶體。

根據工作原理，MOSFET分為兩種型別：

一個增強型MOSFET在正常情況下處於關閉狀態，需要柵極電壓才能將其開啟。而耗盡型MOSFET在正常情況下處於開啟狀態，需要柵極電壓才能將其關閉。

下表重點突出了雙極結型電晶體和金氧半導體場效應電晶體之間的主要區別。

引數	BJT	MOSFET
全稱	BJT代表雙極結型電晶體。	MOSFET代表金屬氧化物半導體場效應電晶體。
定義	BJT是一種三端半導體器件，用於訊號的開關和放大。	MOSFET是一種四端半導體器件，用於開關應用。
型別	根據結構，BJT分為兩種型別：NPN和PNP。	根據結構和工作原理，MOSFET分為四種類型：P溝道增強型MOSFET、N溝道增強型MOSFET、P溝道耗盡型MOSFET和N溝道耗盡型MOSFET。
端子	BJT有三個端子，即發射極、基極和集電極。	MOSFET有四個端子，即源極、漏極、柵極和體（或襯底）。
載流子	在BJT中，電子和空穴都充當載流子。	在MOSFET中，電子或空穴充當載流子，具體取決於源極和漏極之間通道的型別。
極性	BJT是雙極器件。	MOSFET是單極器件。
控制量	BJT是電流控制器件。	MOSFET是電壓控制器件。
輸入阻抗	BJT的輸入阻抗低。	MOSFET的輸入阻抗相對較高。
溫度係數	BJT具有負溫度係數。	MOSFET具有正溫度係數。
開關頻率	BJT的開關頻率低。	對於MOSFET，開關頻率相對較高。
功耗	BJT的功耗比MOSFET高。	MOSFET的功耗低於BJT
應用	BJT適用於低電流應用。它被廣泛用作放大器、振盪器和電子開關。	MOSFET適用於高功率應用。它用於電源等。

BJT和MOSFET是兩種型別的半導體電晶體，具有廣泛的應用。但是，正如我們在上表中強調的那樣，它們在許多方面彼此不同。瞭解BJT和MOSFET的工作方式對於根據具體需求使用其中任何一個非常重要。

Manish Kumar Saini

更新於： 2023年11月1日

46K+ 瀏覽量

透過完成課程獲得認證