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法學BJT和IGBT的區別
雙極結型電晶體 (BJT) 和絕緣柵雙極型電晶體 (IGBT) 是兩種用於電子電路中控制電流的電晶體。閱讀本文，瞭解 BJT 和 IGBT 的工作原理以及它們的主要區別。
什麼是BJT？
BJT 指的是 雙極結型電晶體 (Bipolar Junction Transistor)。BJT 是一種三層三端半導體器件，用於電子電路中進行訊號的開關和放大。
BJT 是透過將 P 型或 N 型材料夾在兩層 N 型或 P 型材料之間形成的。因此，根據結構，BJT 有兩種型別：NPN 和 PNP。BJT 包含兩個 PN 結，BJT 的三個端子分別是：發射極 (E)、基極 (B) 和集電極 (C)。
什麼是IGBT？
IGBT 指的是 絕緣柵雙極型電晶體 (Insulated Gate Bipolar Transistor)。IGBT 也是一種三端半導體器件，用於開關用途。IGBT 是一種能夠處理大量功率並具有高速開關速度的電晶體，這使得它比 BJT 更高效。IGBT 的三個端子分別是：發射極 (E)、柵極 (G) 和集電極 (C)。
實際上，IGBT 結合了 MOSFET 和 BJT 的特性。因此，它可以處理高達 kW 量級的電流和高功率。
IGBT和BJT的區別
下表重點介紹了雙極結型電晶體和絕緣柵雙極型電晶體的主要區別：
| 引數 | BJT | IGBT |
|---|---|---|
| 全稱 | BJT 代表雙極結型電晶體。 | IGBT 代表絕緣柵雙極型電晶體。 |
| 定義 | BJT 是一種三端三層半導體器件，用於開關和放大。 | IGBT 也是一種三端半導體開關器件，主要用於電力電子電路。 |
| 端子 | BJT 有三個端子：發射極 (E)、基極 (B) 和集電極 (C)。 | IGBT 也有三個端子：發射極 (E)、集電極 (C) 和柵極 (G)。 |
| 控制量 | BJT 是電流控制型器件。 | IGBT 是電壓控制型器件。 |
| 控制端 | 基極端控制 BJT 的工作。 | 柵極端控制 IGBT 的工作。 |
| 驅動電路 | BJT 具有複雜的驅動電路。 | IGBT 的驅動電路相對簡單。 |
| 開關速度 | BJT 的開關速度低。 | IGBT 的開關速度相對較高。 |
| 開關時間 | BJT 的開關時間約為 10 μs。 | IGBT 的開關時間約為 0.5 μs。 |
| 驅動功率 | BJT 需要較大的驅動功率。 | IGBT 需要較低的驅動功率。 |
| 開關損耗 | 對於 BJT，開關損耗相對較高。 | 對於 IGBT，開關損耗小於 BJT。 |
| 開關頻率額定值 | 對於 BJT，開關頻率約為 20 kHz。 | IGBT 的開關頻率約為 160 kHz，遠高於 BJT。 |
| 輸入阻抗 | 對於 BJT，輸入阻抗低。 | IGBT 的輸入阻抗高於 BJT。 |
| 安全工作區 (S.O.A.) | BJT 的安全工作區較窄。 | IGBT 的安全工作區比 BJT 更寬。 |
| 功率處理能力 | BJT 的功率處理能力低於 IGBT。 | 與 BJT 相比，IGBT 可以處理更大的功率。 |
| 導通態電阻溫度係數 | BJT 具有負的導通態電阻溫度係數。 | IGBT 具有正的導通態電阻溫度係數。 |
| 應用 | BJT 用作低功率開關器件和放大器。 | IGBT 廣泛用作逆變器電路中的開關器件。 |
結論
從上表可以看出，雙極結型電晶體 (BJT) 和絕緣柵雙極型電晶體 (IGBT) 之間存在多種差異。這兩種電晶體都廣泛用作放大器和開關器件。應該充分了解 BJT 和 IGBT 的工作原理，以便根據應用的具體要求選擇其中一種。
更新於：2022年6月1日
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