絕緣柵雙極電晶體 (IGBT) 和金屬-氧化物-半導體場效應電晶體 (MOSFET) 是兩種型別的電晶體，它們是現代電子電路的基本構成模組。IGBT 和 MOSFET 都是由電壓控制的器件。然而，它們在多個方面有所不同。通讀本文，以基本瞭解這兩種電晶體的工作原理以及它們之間的區別。什麼是 IGBT？IGBT 的全稱為絕緣柵雙極電晶體。IGBT 是一種三端半導體器件，用於各種電子電路中進行訊號的開關和放大。IGBT 的三個端子是： ... 瞭解更多資訊

雙極結型電晶體 (BJT) 和絕緣柵雙極型電晶體 (IGBT) 是兩種在電子電路中用於控制電流的電晶體。通讀本文，以便概覽 BJT 和 IGBT 的運作方式以及它們之間的主要區別。什麼是 BJT？BJT 是指雙極結型電晶體。BJT 是一個三層、三端半導體器件，用於電子電路中的開關和放大訊號，BJT 的形成是夾層 P 型或 N 型材料分別位於兩層 N 型材料或 P 型材料之間。因此，基於 ... 閱讀更多