絕緣柵雙極電晶體 (IGBT) 和金氧半導體場效應電晶體 (MOSFET) 是兩種型別的電晶體，它們是現代電子電路的基本構建塊。IGBT 和 MOSFET 都是電壓控制的裝置。然而，它們在各個方面是不同的。透過這篇文章來了解這兩種電晶體的基本工作原理，以及它們之間的差異。IGBT 是什麼？IGBT 代表絕緣柵雙極電晶體。IGBT 是一種三端半導體器件，用於各種電子電路中訊號的開關和放大。IGBT 的三個端子：… 瞭解更多

雙極性結型電晶體 (BJT) 和絕緣柵雙極性電晶體 (IGBT) 是兩種在電子線路中用於控制電流的電晶體。閱讀本文，概覽 BJT 和 IGBT 的功能以及它們之間的主要區別。什麼是 BJT？BJT 的全稱是雙極性結型電晶體。BJT 是一個三層三端半導體裝置，在電子電路中用於開關和訊號放大。BJT 是將 P 型或 N 型材料夾在兩層 N 型材料或 P 型材料之間形成的。因此，基於... 閱讀更多