FET（場效應電晶體）和 MOSFET（金氧半導體場效應電晶體）是兩種用於電子電路的電晶體。FET 和 MOSFET 都是用於訊號放大、開關和處理的三端器件。FET 中的柵極與源極和漏極透過稱為溝道的區域隔開。MOSFET 具有一個絕緣柵極，該柵極透過一層薄的氧化物層與溝道隔開。閱讀本文以瞭解更多關於 FET 和 MOSFET 的資訊以及它們之間有何不同。什麼是 FET？最流行的 FET 型別是... 閱讀更多

絕緣柵雙極型電晶體 (IGBT) 和金氧半導體場效應電晶體 (MOSFET) 是兩種電晶體，是現代電子電路的基本構建塊。IGBT 和 MOSFET 都是電壓控制器件。但是，它們在各個方面都不同。通讀本文，瞭解這兩種電晶體的基本工作原理以及它們之間有何不同。什麼是 IGBT？IGBT 代表絕緣柵雙極型電晶體。IGBT 是一種三端半導體器件，用於各種電子電路中進行訊號的開關和放大。IGBT 的三個端子是：... 閱讀更多

有一類電晶體稱為場效應電晶體 (FET)。在這類電晶體中，有很多場效應電晶體，例如結型場效應電晶體 (JFET)、金屬氧化物場效應電晶體 (MOSFET)、金屬半導體場效應電晶體 (MSFET) 等。在本文中，我們將比較和對比 JFET 和 MOSFET 的各種特性。什麼是 JFET？JFET 代表結型場效應電晶體。JFET 是一種三端半導體器件，其端子為：源極 (S)、漏極 (D) 和柵極 (G)。JFET 在源極和漏極之間有一個溝道。溝道是源極和... 閱讀更多

BJT 是一種三端半導體器件，用於訊號的開關和放大。另一方面，MOSFET 是四端半導體器件，用於開關應用。通讀本文以瞭解更多關於 BJT 和 MOSFET 的資訊以及它們之間有何不同。什麼是 BJT？BJT 代表雙極型結型電晶體。它是一種電晶體，其中電流流動是由於兩種型別的載流子，即電子和空穴。BJT 由三層交替的 P 型和 N 型半導體材料和兩個 P-N 結組成。BJT 有三個端子，即發射極 (E)、基極... 閱讀更多