JFET和MOSFET的區別
有一類被稱為電晶體的場效應電晶體 (FET)。在這類電晶體中,有很多場效應電晶體,例如結型場效應電晶體 (JFET)、金氧半導體場效應電晶體 (MOSFET)、金屬半導體場效應電晶體 (MSFET) 等。在本文中,我們將比較和對比JFET和MOSFET的各種特性。
什麼是JFET?
JFET代表**結型場效應電晶體**。JFET是一種三端半導體器件,其端子為:**源極 (S)、漏極 (D) 和柵極 (G)**。JFET在源極和漏極之間有一個通道。該通道是電流流過源極和漏極的路徑。

根據通道的性質,JFET分為兩種型別:
- N溝道JFET
- P溝道JFET
結型場效應電晶體 (JFET) 只能在耗盡模式下工作。它用於各種應用,例如電壓可變電阻器、數字開關、放大器等。
什麼是MOSFET?
MOSFET代表**金氧半導體場效應電晶體**。MOSFET是一種四端半導體器件,其端子為:**源極 (S)、漏極 (D)、柵極 (G) 和體 (或襯底)**。MOSFET是一種具有MOS結構的場效應電晶體。MOSFET是高速、低損耗工作的電晶體。

根據通道極性,MOSFET也分為兩種型別:
- N型MOSFET
- P型MOSFET
MOSFET可以透過控制方法在增強模式(通常關閉)和耗盡模式(通常開啟)下工作。增強型MOSFET最為流行。
MOSFET廣泛應用於積體電路設計、高噪聲應用的放大器、速度控制器等。
JFET和MOSFET的區別
下表突出顯示了結型場效應電晶體 (JFET) 和金氧半導體場效應電晶體 (MOSFET) 的主要區別。
| 引數 | JFET | MOSFET |
|---|---|---|
| 全稱 | JFET代表結型場效應電晶體。 | MOSFET代表金屬氧化物半導體場效應電晶體。 |
| 端子 | JFET是一種三端器件,其端子分別命名為:源極 (S)、漏極 (D) 和柵極 (G)。 | MOSFET是一種四端器件,其端子分別為:源極 (S)、漏極 (D)、柵極 (G) 和體或襯底 (B)。 |
| 工作模式 | JFET僅在耗盡模式下工作。 | MOSFET可以在增強模式和耗盡模式下工作。 |
| 柵極端子 | JFET的柵極端子與通道不絕緣。 | MOSFET的柵極端子透過一層薄的金屬氧化物絕緣。 |
| 通道 | JFET具有連續通道。通道永久存在。 | MOSFET僅在耗盡型中具有連續通道,而在增強型中則沒有。因此,通道在耗盡型中永久存在,但在增強型中則不存在。 |
| 型別 | JFET有兩種型別:N溝道JFET和P溝道JFET。 | MOSFET有四種類型:P溝道增強型MOSFET、P溝道耗盡型MOSFET、N溝道增強型MOSFET和N溝道耗盡型MOSFET。 |
| 輸入阻抗 | JFET具有高輸入阻抗,約為109 $\Omega$。 | MOSFET具有非常高的輸入阻抗,約為1014 $\Omega$。 |
| 易損壞性 | JFET由於具有高輸入電容,因此不易損壞。 | MOSFET由於金屬氧化物的存在而降低了輸入電容,因此更容易損壞。 |
| 製造工藝 | JFET的製造工藝簡單且不太複雜。 | MOSFET的製造工藝複雜。 |
| 漏極電阻 | JFET的漏極電阻較高,範圍為105 Ω至106 Ω。 | MOSFET的漏極電阻較低,約為1 Ω至50 Ω。 |
| 製造成本 | JFET的製造成本低於MOSFET。 | 金屬氧化物的新增增加了MOSFET的製造成本。因此,MOSFET比JFET貴。 |
| 柵極電流 | 對於JFET,柵極電流較大。 | 對於JFET,柵極電流較大。 |
| 特性曲線 | JFET具有更平坦的特性曲線。 | MOSFET的特性曲線相對較不平坦。 |
| 電導率控制 | 在JFET中,器件的電導率由柵極的反向偏置控制。 | 在MOSFET中,電導率由通道中感應的載流子控制。 |
| 訊號處理能力 | JFET的訊號處理能力較弱。 | MOSFET比JFET具有更強的訊號處理能力。 |
| 應用 | JFET主要用於低噪聲應用。 | MOSFET廣泛應用於高噪聲應用。 |
結論
從以上討論可以得出結論,結型場效應電晶體 (JFET) 和金氧半導體場效應電晶體 (MOSFET) 之間存在多種差異。這兩種電晶體都廣泛用於不同的電子電路應用中。因此,瞭解這些差異可以幫助個人根據具體要求選擇其中一種。
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