BJT和FET的區別

無論是BJT還是FET，都是電晶體，廣泛應用於各種電子應用中。閱讀本文，瞭解BJT和FET的重要特性，以及它們在功能上的區別。

什麼是BJT？

BJT代表雙極結型電晶體。BJT是一種電晶體，其電流流動是由兩種型別的載流子，即電子和空穴引起的。BJT由三層交替的P型和N型半導體材料和兩個PN接面組成。

當P型半導體材料夾在兩層N型材料之間時，雙極結型電晶體稱為NPN型電晶體。當N型層夾在兩層P型層之間時，得到的BJT稱為PNP型電晶體。NPN和PNP型雙極結型電晶體的電路符號如圖1所示。

BJT有三個端子，即發射極、基極和集電極。每個端子都連線到BJT的每一層。這裡，發射極和集電極層摻雜濃度較高，集電極層的摻雜濃度比發射極低。中間層是BJT的基極，摻雜濃度最低。

什麼是FET？

FET代表場效應電晶體。場效應電晶體中的電流流動僅由一種型別的載流子（空穴或電子）引起。因此，它們被稱為單極型電晶體。FET也是一個三端器件，其中端子的名稱為源極、漏極和柵極。FET的電路符號如圖2所示。

根據為電流提供流動的源極和漏極之間的通道，FET分為兩種型別，即N溝道FET和P溝道FET。在FET的情況下，源極和漏極之間沒有PN接面。FET的柵極區域由與源極和漏極端子之間的通道不同的半導體材料製成。

BJT和FET的區別

下表顯示了雙極結型電晶體和場效應電晶體的主要區別。

引數BJTFET
全稱BJT代表雙極結型電晶體。FET代表場效應電晶體。
定義使用兩種型別的載流子（電子和空穴）進行導電的一種電晶體稱為雙極結型電晶體（BJT）。利用電場控制半導體中電流流動的一種電晶體稱為場效應電晶體（FET）。
驅動型別在BJT中，電流流動是由多數載流子和少數載流子共同引起的。因此，它是一種雙極器件。在FET中，電流僅由多數載流子引起。因此，它是一種單極器件。
端子BJT有三個端子，即發射極、基極和集電極。FET也有三個端子，即源極、漏極和柵極。
PN接面BJT包含兩個PN接面，即發射極-基極結和集電極-基極結。FET沒有PN接面。
控制元件BJT是電流控制器件。FET是電壓控制器件。
型別BJT有兩種型別：NPN型電晶體和PNP型電晶體。FET也有兩種型別：N溝道FET和P溝道FET。
配置BJT有三種配置：共射極（CE）、共基極（CB）和共集電極（CC）。FET也有三種配置：共源極（CS）、共柵極（CG）和共漏極（CD）。
尺寸BJT尺寸較大，因此需要更多空間。因此，將其製造成積體電路較為複雜。FET的尺寸相對較小。因此，將其製造成積體電路更容易。
靈敏度BJT對施加電壓的變化更敏感。FET對施加電壓的變化不太敏感。
輸入和輸出之間的關係BJT的輸入和輸出之間存線上性關係。FET的輸入和輸出之間存在非線性關係。
熱噪聲BJT的熱噪聲較大。FET的熱噪聲要低得多。
熱失控BJT存在熱失控。FET不存在熱失控。
熱穩定性BJT的熱穩定性較差。由於不存在少數載流子，FET具有良好的熱穩定性。
輸入阻抗在BJT的情況下，輸入電路是正向偏置的。因此，BJT的輸入阻抗較低。由於輸入電路的反向偏置，FET具有高輸入阻抗。
大電流水平下的溫度係數BJT具有正溫度係數。FET具有負溫度係數。
適用性BJT適用於低電流應用。FET適用於高電流應用。
開關速度BJT的開關速度較慢。FET具有更高的開關速度。
輻射的影響BJT易受輻射影響。FET對輻射相對免疫。
增益頻寬積BJT具有更高的增益頻寬積。FET具有較低的增益頻寬積。
少數載流子儲存效應BJT受少數載流子儲存效應的影響。FET不受少數載流子儲存效應的影響。
成本BJT的製造成本較低。FET的製造成本相對較高。
安裝BJT在安裝過程中不需要特殊處理。FET在安裝過程中需要特殊處理。
應用BJT用作開關（在飽和和截止區域）和放大器（在放大區域）。FET用作開關（在歐姆和截止區域）和放大器（在飽和區域）。

結論

透過以上討論，可以得出結論，雙極結型電晶體（BJT）和場效應電晶體（FET）之間存在多種差異。這兩種電晶體都廣泛應用於不同的電子應用中，例如開關和放大等。因此，瞭解這些差異可以幫助個人根據需求選擇其中之一。

更新時間： 2023年11月1日

57K+ 瀏覽量

開啟你的職業生涯

透過完成課程獲得認證

開始學習
廣告

© . All rights reserved.