半導體器件 - JFET 偏置

JFET 的偏置方法有兩種：自偏置法和分壓法。本章將詳細討論這兩種方法。

自偏置法

下圖顯示了 N 溝道 JFET 的自偏置方法。漏極電流流過R_s併產生所需的偏置電壓。因此，R_s是偏置電阻。

因此，偏置電阻上的電壓為：

$$V_s = I_{DRS}$$

眾所周知，柵極電流可忽略不計，柵極端子接地，V_G = 0，

$$V_{GS} = V_G - V_s = 0 - I_{DRS}$$

或 $V_{GS} = -I_{DRS}$

V_GS 使柵極相對於源極保持負電位。

分壓法

下圖顯示了 JFET 的分壓偏置方法。這裡，電阻 R₁ 和 R₂ 構成一個跨漏極電源電壓 (V_DD) 的分壓電路，它與電晶體偏置中使用的電路大致相同。

R₂ 上的電壓提供必要的偏置 -

$$V_2 = V_G = \frac{V_{DD}}{R_1 + R_2} \times R_2$$

$= V_2 + V_{GS} + I_D + R_S$

或 $V_{GS} = V_2 - I_{DRS}$

電路設計使得 V_GS 始終為負。可以使用以下公式找到工作點 -

$$I_D = \frac{V_2 - V_{GS}}{R_S}$$

和 $V_{DS} = V_{DD} - I_D(R_D + R_S)$