電晶體的構造

以下是晶體管制造中使用的一些技術：

擴散型

在這種方法中，半導體晶圓經受N型和P型雜質的氣體擴散，以形成發射極和集電極結。首先，確定基極-集電極結，並在基極擴散之前進行光刻。之後，在基極上擴散發射極。這種技術製造的電晶體具有更好的噪聲係數，並且還觀察到電流增益的提高。

生長型

它是透過從熔融的矽或鍺中拉出單晶來形成的。在晶體生長過程中新增所需的雜質濃度。

外延型

在相同型別的重摻雜襯底上生長一層非常純淨且薄的矽或鍺單晶層。這種改進的晶體版本形成了集電極，發射極和基極結在其上形成。

合金型

在這種方法中，基極部分由薄片N型材料製成。在薄片的相對兩側，連線兩個小的銦點，並將整個結構保持在高溫下較短時間。溫度將高於銦的熔點，低於鍺的熔點。這種技術也稱為熔合構造。

電化學蝕刻型

在這種方法中，在半導體晶圓的相對兩側蝕刻凹陷，以減小基區寬度。然後將合適的金屬電鍍到凹陷區域以形成發射極和集電極結。