半導體器件 - 耗盡區

最初，當形成結型二極體時，電流載流子之間存在一種獨特的相互作用。在 N 型材料中，電子輕易穿過結以填充 P 型材料中的空穴。此行為通常稱為擴散。擴散是由一種材料中載流子的高聚集和另一種材料中較低的聚集導致的。

通常，僅靠近結的電流載流子參與擴散過程。離開 N 型材料的電子會導致在其位置產生正離子。在進入 P 型材料以填充空穴時，這些電子會產生負離子。結果，結的每一側都包含大量正離子和負離子。

這些空穴和電子耗盡的區域通常稱為耗盡區。這是一個缺乏多數電流載流子的區域。通常，當形成 P-N 結時，就會形成耗盡區。下圖顯示了結型二極體的耗盡區。