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脈衝電路 - 電晶體作為開關
透過驅動電晶體處於飽和狀態或截止狀態,將其用作電子開關。這兩個狀態之間的區域是線性區域。電晶體在此區域內作為線性放大器工作。飽和和截止狀態在這方面是重要的考慮因素。
電晶體的開和關狀態
電晶體的工作主要有兩個區域,我們可以將其視為開和關狀態。它們是飽和狀態和截止狀態。讓我們看看電晶體在這兩種狀態下的行為。
截止狀態下的工作
下圖顯示處於截止區域的電晶體。
當電晶體的基極施加負電壓時,電晶體進入截止狀態。沒有集電極電流。因此 IC = 0。
施加在集電極上的電壓 VCC 出現在集電極電阻 RC 上。因此,
VCE = VCC
飽和區域的工作
下圖顯示處於飽和區域的電晶體。
當基極電壓為正且電晶體進入飽和狀態時,IC 流過 RC。
然後 VCC 降落在 RC 上。輸出將為零。
$$I_C = I_{C(sat)} \: = \: \frac{V_{CC}}{R_C} \: and \: V_{CE} = 0$$
實際上,這是理想情況。實際上,會流過一些漏電流。因此,我們可以理解,透過對基極施加正負電壓將其驅動到飽和和截止區域時,電晶體可以作為開關工作。
下圖給出了更好的解釋。
觀察連線 IC 和 VCC 的直流負載線。如果電晶體被驅動到飽和狀態,IC 完全流過,VCE = 0,由點A表示。
如果電晶體被驅動到截止狀態,IC 將為零,VCE = VCC,由點 B 表示。連線飽和點 A 和截止點 B 的線稱為負載線。由於此處施加的電壓是直流電壓,因此稱為直流負載線。
實際考慮因素
儘管上述條件都令人信服,但要獲得這種結果,存在一些實際限制。
在截止狀態期間
理想電晶體具有 VCE = VCC 和 IC = 0。
但在實踐中,會有少量漏電流流過集電極。
因此 IC 將為幾 μA。
這被稱為集電極漏電流,當然可以忽略不計。
在飽和狀態期間
理想電晶體具有 VCE = 0 和 IC = IC(sat)。
但在實踐中,VCE 會降低到某個稱為膝電壓的值。
當 VCE 低於膝電壓時,β 會急劇下降。
由於 IC = βIB,這會降低集電極電流。
因此,保持 VCE 在膝電壓下的最大電流 IC 稱為飽和集電極電流。
飽和集電極電流 = $I_{C(sat)} \: = \: \frac{V_{CC} - V_{knee}}{R_C}$
僅為了使其用於開關目的而製造的電晶體稱為開關電晶體。它在飽和區或截止區工作。在飽和狀態下,集電極飽和電流流過負載,而在截止狀態下,集電極漏電流流過負載。
電晶體的開關動作
電晶體有三個工作區域。為了瞭解操作效率,需要考慮實際損耗。因此,讓我們嘗試瞭解電晶體作為開關的效率如何。
在截止(關)狀態期間
基極電流 IB = 0
集電極電流 IC = ICEO(集電極漏電流)
功率損耗 = 輸出電壓 × 輸出電流
$$= V_{CC} \times I_{CEO}$$
由於 ICEO 很小,VCC 也很低,因此損耗將非常低。因此,電晶體在關斷狀態下可以作為高效開關工作。
在飽和(開)狀態期間
如前所述,
$$I_{C(sat)} = \frac{V_{CC} - V_{knee}}{R_C}$$
輸出電壓為Vknee。
功率損耗 = 輸出電壓 × 輸出電流
$$= \:V_{knee} \times I_{c(sat)}$$
由於 Vknee 的值很小,因此損耗很低。因此,電晶體在開狀態下可以作為高效開關工作。
在放大區
電晶體位於開和關狀態之間。電晶體作為線性放大器工作,其中輸入電流的小變化會導致輸出電流的大變化 (ΔIC)。
開關時間
開關電晶體的輸入為脈衝,輸出為具有少量變化的脈衝。關於開關輸出脈衝的時間,有一些術語您應該瞭解。讓我們來了解一下它們。
設輸入脈衝持續時間 = T
當施加輸入脈衝時,由於雜散電容,集電極電流需要一些時間才能達到穩態值。下圖解釋了這個概念。
從上圖可以看出,
時間延遲 (td) - 集電極電流從其初始值達到其最終值的 10% 所用的時間稱為時間延遲。
上升時間 (tr) - 集電極電流從其初始值的 10% 到達其最終值的 90% 所用的時間稱為上升時間。
導通時間 (TON) - 時間延遲 (td) 和上升時間 (tr) 的總和稱為導通時間。
TON = td + tr
儲存時間 (ts) - 輸入脈衝後沿到輸出最大值的 90% 之間的時間間隔稱為儲存時間。
下降時間 (tf) - 集電極電流從其最大值的 90% 到達其初始值的 10% 所用的時間稱為下降時間。
關斷時間 (TOFF) - 儲存時間 (ts) 和下降時間 (tf) 的總和定義為關斷時間。
TOFF = ts + tf
脈衝寬度 (W) - 在上升和下降波形的兩個 50% 電平之間測量的輸出脈衝持續時間定義為脈衝寬度。