27128-20 與 8085 微處理器中 8085AH 的相容性檢查

讓我們根據t_AD、t_LDR 和t_RD 引數執行記憶體相容性檢查。

關於t_AD的相容性：地址從 A₁₅ 到 A₀ 的有效地址與地址從 AD₇ 到 AD₀ 的有效資料之間的時間間隔。對於 8085AH，T 狀態工作時間為 320 nS，但最多可達 575 nS。但此處有效資料可用時間為 365 nS。因此，記憶體速度是相容的，並且有 575 nS - 365 nS = 210 nS 的額外時間裕度。

關於t_LDR的相容性：算術邏輯單元尾隨邊沿與地址從 AD₇ 到 AD₀ 的有效資料之間的時間間隔，讀取操作。對於工作在 320 nS T 狀態的 8085AH，最大值為 460 nS。ALE 的尾隨邊沿出現在 115 nS。因此，在這種情況下，t_LDR 僅為 365 nS - 115 nS = 250 nS。因此，記憶體速度是相容的，實際上有 460 nS - 250 nS = 210 nS 的額外時間裕度。

關於t_RD的相容性：RD* 的前沿與地址相當於 AD_7-0 的有效資料之間的時間間隔。對於工作在 320 nS T 狀態的，需要最大 300 nS。RD* 訊號由 8085 AH 在 270 nS 啟用，並由其在 365 nS 提供有效資料。

因此，27128-20 EPROM 晶片的速度與 8085AH 相容。因此，8085AH 與記憶體晶片介面，這些晶片具有如下所示的最壞情況規格

t_Acc = 327 nS + 205 nS = 532 nS

t_CE = 323 nS + 205 nS = 528 nS

t_OE = 75 nS + 205 nS = 280 nS

在 ALS 套件中訪問 27128 EPROM 所涉及的延遲。

MR 機器週期匯流排時序特性

Chandu Yadav

更新時間： 2019 年 7 月 30 日

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