閘流體與電晶體的區別
閘流體和電晶體都是廣泛應用於各種應用中的半導體器件。閱讀本文,瞭解閘流體與電晶體的不同之處。
什麼是閘流體?
閘流體是一種四層三端半導體器件。閘流體由三個PN接面組成。閘流體的三個端子是:陽極 (A)、陰極 (C) 和柵極 (G)。柵極是閘流體用於提供控制訊號的端子。閘流體的電路符號如圖1所示。

閘流體具有高電壓和高電流額定值,並且能夠處理大功率。透過向閘流體提供初始電流將其導通,然後它將保持導通狀態。閘流體在高功率電路中用作電子開關。
什麼是電晶體?
電晶體是一種三層三端半導體器件。它由兩個PN接面組成。電晶體的端子是:發射極 (E)、基極 (B) 和集電極 (C)。透過向基極端子提供訊號來導通電晶體。電晶體的電路符號如圖2所示。
電晶體具有低電壓和低電流額定值,並且能夠處理低功率。透過適當的偏置,電晶體可以作為電子開關和放大器工作。電晶體可以工作在以下三個區域:
- 作為放大器的放大區
- 作為閉合開關的飽和區
- 作為開路開關的截止區
閘流體與電晶體的區別
下表重點突出了閘流體和電晶體的主要區別。
| 引數 | 閘流體 | 電晶體 |
|---|---|---|
| 定義 | 閘流體是一種四層三端半導體開關器件,用作電子電路中的受控整流器和開關。 | 電晶體是一種三層三端半導體器件,用作電路中的開關和放大器。 |
| 結構 | 閘流體由四層P型和N型材料交替排列而成。 | 電晶體是由一層N型或P型半導體材料分別夾在兩層P型或N型材料之間形成的。 |
| 端子 | 閘流體有三個端子:陽極 (A)、陰極 (K) 和柵極 (G)。 | 電晶體也有三個端子:發射極 (E)、基極 (B) 和集電極 (C)。 |
| PN接面 | 閘流體具有三個PN接面。 | 電晶體具有兩個PN接面。 |
| 型別 | 根據結構,閘流體只有一種型別,即PNPN。 | 根據結構,電晶體有兩種型別:NPN和PNP。 |
| 導通 | 閘流體只需要在柵極端子施加觸發脈衝即可導通,此後它將保持導通狀態。 | 電晶體需要在基極端子持續施加電流才能保持導通狀態。 |
| 需要關斷電路(換向電路) | 閘流體需要額外的關斷電路才能停止導通。 | 電晶體不需要任何關斷電路。 |
| 功率額定值 | 閘流體能夠處理大功率,因此其額定值為千瓦 (kW)。 | 電晶體的功率處理能力較小,因此其額定值始終為瓦特。 |
| 開關時間 | 閘流體具有較長的導通和關斷時間,即較長的開關時間。 | 電晶體立即導通和關斷,因此電晶體的開關時間較短。 |
| 效率 | 閘流體的效率高於電晶體。 | 電晶體的效率相對較低。 |
| 尺寸 | 閘流體尺寸較大,因此比電晶體重。 | 電晶體尺寸相對較小,體積較小。 |
| 成本 | 閘流體比電晶體貴。 | 電晶體比閘流體便宜。 |
| 壓降 | 閘流體壓降較高。 | 電晶體的壓降比閘流體低。 |
| 電壓和電流額定值 | 閘流體具有高電壓和高電流額定值。 | 電晶體具有低電壓和低電流額定值。 |
| 內部功率損耗 | 閘流體的內部功率損耗較低。 | 對於電晶體,內部功率損耗相對較高。 |
| 浪湧電流能力 | 閘流體能夠處理大的浪湧電流。 | 電晶體非常敏感,不能處理大的浪湧電流。 |
| 適用性 | 閘流體最適合低頻和大功率應用。 | 電晶體最適合高頻和小功率應用。 |
| 應用 | 閘流體廣泛應用於高功率電路中的受控整流和開關。 | 電晶體用於訊號放大和低功率電路中的開關。 |
結論
從以上討論可以看出,閘流體和電晶體之間存在多種差異。這兩種半導體器件在不同的電子電路中都有廣泛的應用,例如電子開關、放大器、受控整流器等。因此,瞭解這些差異可以幫助個人根據需求選擇其中一種器件。
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