當p型半導體適當地與n型半導體連線時，半導體的接觸面稱為pn結。pn結的性質p型半導體有空穴，而n型半導體有自由電子作為多數載流子。當p型和n型材料適當地連線在一起以形成pn結時。在結處，n側的自由電子向p側擴散，p側的空穴向n側擴散。由於兩種材料都是電中性的，因此在結的n側形成正電荷，而在結的n側形成負電荷... 閱讀更多

實際運放有一些限制，在設計儀器時應予以考慮。運放的物理限制 - 電壓電源限制有限頻寬限制輸入失調電壓限制輸入偏置電流限制輸出失調電壓限制轉換率限制短路輸出限制有限的共模抑制比電壓電源限制運放由外部直流電源（+VCC 和 -VCC）供電，這些電源對稱，為 ± 10 V 至 ± 20 V 的範圍內。電壓電源限制的影響是，放大器只能在其電源電壓範圍內放大訊號。它... 瞭解更多

運算放大器（也稱為運算放大器）是一種多端直接耦合高增益放大器，它由一個或多個差動放大器、一個電平電晶體和一個輸出組成。運算放大器是一種多功能器件，可用於放大直流和交流訊號，主要用於執行加法、減法、乘法等的數學運算。運算放大器框圖輸入級 - 輸入級是雙輸入，平衡輸出差動放大器。此級提供大部分電壓增益，並引入運算放大器的輸入電阻。中間級 - 此級是雙輸入，... 瞭解更多

金氧半導體場效應電晶體 (MOSFET) 有四個端子 - 漏極 (S)、柵極 (G)、源極 (D)、基極 (B)。它是一種半導體器件，用於電子電路中的開關和放大應用。一般而言，基極端子會與源極連線，從而形成一個三端器件，類似於 FET。MOSFET 是電壓控制型器件。因為它的工作僅取決於多數載流子的流動，因此 MOSFET 是一個單極器件。換句話說，可以在增強模式下工作的 FET 稱為 MOSFET。為什麼叫 MOSFET？柵極... 瞭解更多

運算放大器是一個三端器件，由兩個高阻抗輸入端組成，其中一個稱為反相輸入，用負號表示，另一個稱為同相輸入，用正號表示。第三個端是運算放大器的輸出。反相運算放大器在反相運算放大器電路中，訊號施加在反相輸入，同相輸入接地。在這種型別的放大器中，輸出和輸入相差 180⁰，即當正訊號施加到電路時，電路的輸出將... 瞭解更多

絕緣柵雙極型電晶體 (IGBT) 是一種具有三個端子（柵極 (G)、發射極 (E) 和集電極 (C)）的半導體器件。IGBT 透過結合 BJT 和功率 MOSFET 的最佳品質而開發出來。因此，IGBT 表現出作為 PMOSFET 的高輸入阻抗，並且具有類似 BJT 的低導通態功率損耗。IGBT 也不存在 BJT 中存在的第二擊穿問題。IGBT 也稱為絕緣柵電晶體 (IGT)、金屬氧化物絕緣柵電晶體 (MOSIGT)、導調場效應電晶體 (COMFET) 或增益調製 FET (GEMFET)。IGBT 的基本結構和示意圖 ... 閱讀更多內容

基本上，電晶體不過是兩個背靠背連線的 PN 結。透過藉助數字萬用表檢查兩個結點（發射極-基極結和集電極-基極結），我們可以對電晶體的功能進行評價。電晶體的測試基於 PN 結偏置原理，即當對 PN 結施加正向偏置（透過將正極端子連線到 P 區並將負極端子連線到 N 區）時，結點允許電流透過。當施加反向偏置到結點時，它表現為開路。NPN 型電晶體廣泛用於。我們 ... 閱讀更多內容

全波整流器是一種二極體電路，用於將全部交流電壓 (AC 電源) 週期轉換為直流電壓 (DC 電源)。在全波整流中，電流在整個輸入交流電源週期中均以相同的方向流過負載。全波整流器型別中心抽頭全波整流器全波橋式整流器中心抽頭全波整流器中心抽頭全波整流器的電路由以下主要元件組成：-兩個二極體一箇中心抽頭變壓器一個負載電阻中心抽頭 FWR 電路的工作原理正半周在輸入 AC 電壓的正半週期間，次級繞組的端 A ... 閱讀更多內容

增強型金氧半導體場效應電晶體 (EMOSFET) 是一個三端器件，即源極 (S)、柵極 (G) 和漏極 (D)。EMOSFET 是一種電壓控制裝置。EMOSFET 只能在增強模式下工作。由於襯底完全延伸到 SiO2 層，因此 EMOSFET 從源極到漏極沒有物理通道。透過施加適當幅度和極性的柵極-源極電壓 (VGS)，可以使裝置工作。使用 VGS 將柵極端子下方感應一個 N 型通道，從而使裝置工作。VGS 的最小值為適當的極性 ... 閱讀更多內容

數位電子學是電子學的一個分支，它使用數字訊號來完成任務。數字訊號是使用二進位制語言表示的訊號，即 0 和 1. 數位電路使用邏輯閘（如與門、或門、非門、與非門、或非門、異或門和異或非門）來實現，這些邏輯閘可以執行邏輯運算。數位電路定義使用一定數量的邏輯閘實現，並採用二進位制形式（0 和 1）作為輸入，稱為數位電路。數位電路的型別組合數位電路時序數位電路數字邏輯閘邏輯閘是使用布林函式實現的電子元件... 閱讀更多