半導體與超導體的區別
導體是指允許電流或電荷在其間流動的材料。本文將討論兩種重要型別的導體:半導體和超導體的區別。
什麼是半導體?
半導體是指其導電性介於絕緣體和導體之間的電導體。半導體是透過將雜質原子摻雜到純半導體元素中形成的。這種雜質的加入增強了半導體材料的導電能力。
根據摻雜元素的型別,半導體分為以下兩種型別:
N型半導體
N型半導體是一種半導體材料,其中純半導體(如矽,具有4個價電子)摻雜了五價元素(如砷,具有5個價電子)。
四價矽的四個價電子與砷五個價電子中的四個形成強的共價鍵,釋放出一個自由電子。這些自由電子使半導體富含帶負電荷的自由移動電子,這些電子是半導體材料導電性增加的原因。溫度升高會導致N型半導體材料的導電性增加。
P型半導體
P型半導體也是一種半導體材料,其中純半導體(如鍺,具有4個價電子)摻雜了三價元素(如鋁,具有3個價電子)。
四價鍺的四個價電子與鋁三個價電子中的三個形成強的共價鍵,導致空穴的形成。這些空穴使半導體富含帶正電荷的自由移動空穴,這些空穴是半導體材料導電性增加的原因。溫度升高會導致P型半導體材料的導電性增加。
什麼是超導體?
超導體是指在達到特定閾值溫度時,其導電率高於半導體材料的導電材料。當導電材料的溫度達到特定溫度值時,該材料的電阻率變為零,這就是為什麼它被稱為超導體。
在普通導體中,溫度升高會導致材料電阻增加,溫度降低會導致材料電阻值下降。但在超導體材料中,情況正好相反,溫度值的降低會導致材料的電阻值降至零。
由於超導體材料存在零電阻率,因此不會發生能量損失。據觀察,超導體內部強的電子鍵導致電流在其間增加。
根據超導體導電的溫度條件,它們可以細分為以下兩種型別:
I型超導體
I型超導體是指在正常環境溫度下允許有限電流流動的超導體,但在達到臨界溫度值時,由於材料的零電阻率,它允許無限電流在其間流動。
II型超導體
II型超導體是指在正常環境溫度下不是良導體的超導體,但在達到閾值溫度時,它允許無限電流在其間流動。
半導體與超導體的區別
下表重點介紹了半導體和超導體之間的重要區別:
引數 |
半導體 |
超導體 |
|---|---|---|
基本描述 |
半導體的導電能力介於絕緣體和導體之間。 |
超導體的導電率高於普通導體,因為它們在臨界溫度下電阻率為零。 |
型別 |
根據半導體摻雜的雜質型別,它分為以下兩類:
|
根據溫度依賴性,超導體分為以下兩類:
|
電流承載能力 |
半導體允許有限電流在其間流動,具體取決於摻雜雜質。 |
超導體在特定溫度下允許無限電流流動。 |
導電性 |
半導體的導電性比導體低。 |
由於電流流動的電阻率為零,超導體的導電性遠高於導體。 |
影響導電性的因素 |
半導體的導電性取決於新增到純半導體材料中的摻雜雜質的數量。 |
超導體的導電性取決於使用材料的溫度。 |
電導範圍 |
半導體的電導範圍介於絕緣體和半導體之間。 |
超導體的電導範圍大於導體。 |
室溫下的導電性 |
在正常室溫下,半導體觀察到導電性。 |
I型超導體在室溫下顯示非常低的導電性。 |
能耗 |
涉及中等能耗。 |
可忽略不計的能耗。 |
示例 |
純原子元素,如矽 (Si) 和鍺 (Ge),是最常用的半導體材料。 |
一些超導體的例子包括鋁、汞、鈮、氧化銅鋇等。 |
結論
總之,半導體和超導體是兩類導電材料,它們的區別在於它們的導電能力。它們之間最顯著的區別在於,半導體的導電性介於導體和絕緣體之間,而超導體的導電水平超過了導體。
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