EPROM 和 EEPROM 的區別


EPROMEEPROM 都是 ROM(只讀儲存器)的型別,但它們在許多方面都存在差異,我們將在本文中討論這些差異。讓我們首先了解 EPROM 和 EEPROM 的一些基礎知識,以便更容易理解它們之間的區別。

什麼是 EPROM?

EPROM 代表可擦除可程式設計只讀儲存器。EPROM 是 PROM(可程式設計只讀儲存器)的現代版本。EPROM 提供了擦除儲存在其上的資料的功能。它使用紫外線(UV 射線)來擦除儲存在其上的內容。

EPROM 由 MOS(金氧半導體)電晶體構成。EPROM 是一種 ROM,其資料以光學方式寫入或刪除。為了擦除 EPROM 中的內容,在其包裝頂部提供了一個石英晶體視窗。

什麼是 EEPROM?

EEPROM 代表電可擦除可程式設計只讀儲存器。它是一種 ROM,使用電訊號來擦除儲存在 EEPROM 中的資料。基本上,EEPROM 是 EPROM 的擴充套件變體。

整個 EEPROM 電路都封裝在一個不透明的塑膠外殼中。EEPROM 的主要優點是,它不需要從電路中分離出來即可擦除其內容。雖然,與 PROM 相比,EEPROM 非常昂貴。

EPROM 和 EEPROM 之間的區別

以下重點介紹了 EPROM 和 EEPROM 之間所有重要的區別 -

EPROM EEPROM
EPROM 代表可擦除可程式設計只讀儲存器。 EEPROM 代表電可擦除可程式設計只讀儲存器。
UV(紫外線)用於擦除 EPROM 中的內容。 電訊號用於擦除 EEPROM 的內容。
它在頂部包含一個石英晶體視窗。 EEPROM 中的區域完全包裹在不透明的塑膠外殼中。
EPROM 中的相對單元大小為 1。 EEPROM 中的相對單元大小為 3。
EPROM 被認為是 PROM 的現代版本。 EEPROM 被認為是 EPROM 的現代版本。
EPROM 是一種外部程式設計技術。 EEPROM 是一種外部程式設計技術。
一旦擦除,EPROM 記憶體將無法重新程式設計。 EEPROM 在擦除後可以重新程式設計(如 EPROM)。
與 EPROM 一起使用的電晶體消耗 12.5 伏。 與 EEPROM 一起使用的電晶體消耗 5 伏。
熱電子注入程式設計技術用於 EPROM。 隧道效應在 EEPROM 中用作程式設計技術。
擦除操作在 EPROM 中需要 15 到 20 分鐘。 擦除 EEPROM 內容需要 5 毫秒。
要擦除和重新程式設計系統的 BIOS,必須將 EPROM 晶片從電路中斷開。 擦除和重新程式設計的操作可以在不關閉系統電路的情況下完成。

結論

EPROM 和 EEPROM 的開發都是為了解決與 ROM 和 PROM 相關的問題。EPROM 和 EEPROM 相對於 ROM 和 PROM 的主要優點是可以擦除和重新程式設計。EPROM 和 EEPROM 之間最顯著的區別在於,EPROM 使用紫外線擦除,而 EEPROM 使用電訊號擦除。

更新於: 2022 年 11 月 24 日

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