EEPROM 和 Flash 的區別

快閃記憶體和 EEPROM 都是非易失性儲存器，這意味著即使在斷電後，它們也能儲存資料。但是，這兩種儲存器在幾個重要方面存在差異。

在快閃記憶體的內容被擦除後，可以立即寫入新資料。另一方面，為了將新資料寫入 EEPROM，必須先將其擦除。
快閃記憶體通常可以覆蓋大約 100,000 次，然後才會開始降級。EEPROM 通常只能寫入幾千次，然後就需要更換。
快閃記憶體的成本高於 EEPROM。這是因為快閃記憶體晶片通常需要更多的矽和其他材料來製造，因為它們比 EEPROM 晶片更大。

閱讀本文以瞭解更多關於 EEPROM 和 Flash 的資訊以及它們之間是如何不同的。

什麼是 EEPROM？

EEPROM 指的是電可擦可程式設計只讀儲存器。EEPROM 是一種非易失性儲存器，用於計算機和其他電子裝置中儲存必須在斷電後儲存的小量資料。EEPROM 有各種尺寸，但目前最常見的是 32K 和 64K。尺寸由裝置可訪問的位元組數決定。每個位元組可以根據需要獨立程式設計和刪除。

與其他形式的非易失性儲存器相比，EEPROM 的優勢在於它能夠在無需使用特殊工具或擦除週期的情況下被擦除和重新程式設計。這使得 EEPROM 能夠應用於需要定期更新資料的應用，例如升級韌體時。

EEPROM 的一個缺點是它只有有限次數的擦除/寫入迴圈——通常約為 100,000 次。超過此次數後，單元將無法可靠地保持電荷，資料將開始降級。因此，EEPROM 不適用於日誌檔案等需要持續寫入和更新資料的應用。

什麼是快閃記憶體？

能夠以塊而不是一次一個位元組的方式擦除和重新程式設計的儲存器稱為電可擦可程式設計只讀儲存器 (EEPROM)。快閃記憶體被廣泛用作許多裝置中的主要儲存形式，包括固態硬碟、USB 快閃記憶體盤和數碼相機。

快閃記憶體，也稱為快閃記憶體儲存器，是一種利用快閃記憶體晶片來記錄和儲存資料的方式。快閃記憶體技術具有廣泛的應用，從簡單的儲存（如快閃記憶體盤）到低技術市場系統。由於快閃記憶體具有極低的延遲並且在計算機關閉時不會丟失資料，因此它優於任何其他具有移動走廊的硬碟型別。

快閃記憶體是一種特殊的 EEPROM，只能以大塊的方式進行程式設計和擦除。然而，似乎 AND 快閃記憶體正被用於僅支援大塊擦除的硬體。快閃記憶體非常通用。快閃記憶體有幾個特點。它比 EEPROM 便宜得多，並且不需要像靜態 RAM 這樣的固態儲存的電池。快閃記憶體通常用於速度至關重要的場合，因為它比 EEPROM 快（例如在數碼相機中）。