什麼是主記憶體?
主記憶體是計算機系統中的基本儲存單元。它是一種容量大、速度快的儲存器,用於在計算機操作期間儲存程式和資料。主記憶體的工作技術基於半導體積體電路。
RAM 是主記憶體。積體電路隨機存取儲存器 (RAM) 晶片可以採用以下兩種操作模式:
- 靜態 RAM (SRAM) − 它由內部觸發器組成,用於儲存二進位制資訊。只要向單元供電,儲存的資料就會保持不變。靜態 RAM 使用簡單,讀寫週期較短。
- 動態 RAM (DRAM) − 它將二進位制資料儲存在電荷的結構中,這些電荷用於電容器。電容器由金氧半導體 (MOS) 電晶體在晶片內部提供。電容器上儲存的值會隨著時間的推移而放電,因此必須透過定期重新整理動態記憶體來定期為電容器充電。
隨機存取儲存器
術語隨機存取儲存器或 RAM 通常用於指微處理器可以輕鬆讀取和寫入的記憶體。為了使記憶體被稱為隨機存取記憶體,應該能夠隨時訪問任何地址。這將 RAM 與磁帶或硬碟驅動器等儲存裝置區分開來,在這些裝置中,資料是順序訪問的。
RAM 是計算機的主記憶體。它的目的是儲存當前正在使用的應用程式和資料。作業系統控制著記憶體的使用。它發出指令,例如何時將專案載入到 RAM 中、它們在 RAM 中的位置以及何時需要從 RAM 中移除它們。
只讀儲存器
在每個計算機系統中,都應該有一部分記憶體是固定的,並且不會受到電源故障的影響。這種型別的記憶體被稱為只讀儲存器或 ROM。
SRAM
由電路構成,只要供電就能儲存資訊的RAM被稱為靜態隨機存取儲存器(SRAM)。觸發器構成SRAM裝置中的基本儲存單元。SRAM由一個觸發器陣列組成,每個位一個觸發器。SRAM由一個觸發器陣列組成,需要大量的觸發器來提供更高的容量記憶體。正因為如此,SRAM 使用更簡單的觸發器電路、BJT 和 MOS 電晶體。
DRAM
SRAM速度更快,但成本較高,因為它們的單元需要多個電晶體。如果使用更簡單的單元,則可以以較低的成本獲得 RAM。可以使用基於電容器的 MOS 儲存單元來替換 SRAM 單元。這種儲存單元不能無限期地儲存電荷(即資料),必須定期充電。因此,這些單元被稱為動態儲存單元。使用這些單元的 RAM 被稱為動態 RAM 或簡稱 DRAM。
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