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法律研究在計算機體系結構中，什麼是基於半導體的ROM儲存器？
傳統的掩膜程式設計ROM晶片是物理編碼要儲存的資訊的互連電路，因此在製造後無法修改其內容。幾種非易失性固態儲存器方法允許一定程度的修改 -
可程式設計只讀儲存器 (PROM) - 它是一種一次性可程式設計ROM (OTP)，可以透過一種稱為PROM程式設計器的獨特裝置寫入或程式設計。該裝置使用高電壓永久損壞或產生晶片內部的內部連線（熔絲或反熔絲）。
可擦除可程式設計只讀儲存器 (EPROM) - 它可以透過暴露於強紫外線（通常為10分鐘或更長時間）來擦除，然後透過再次需要應用高於典型電壓的過程來重寫。反覆暴露於紫外線下最終會磨損EPROM，但大多數EPROM晶片的強度超過數千次擦除和重新程式設計週期。
EPROM晶片封裝可以透過突出的石英“視窗”識別，該視窗使紫外線能夠進入。程式設計後，視窗通常會包裹標籤以避免意外刪除。各種EPROM晶片在封裝時被工廠擦除，並且不包含視窗，這些晶片實際上是PROM。
電可擦除可程式設計只讀儲存器 (EEPROM) - 它放置在與EPROM相同的半導體結構上，但能夠對其整個內容進行電擦除，從而可以電寫入，因此不需要將其從計算機（或相機、MP3播放器等）中移除。
電可改寫只讀儲存器 (EAROM) - 是一種EEPROM，可以一次更改一位。寫入是一個非常簡單的過程，需要比讀取方法使用的電壓更高的電壓（通常約為12V）。
EAROM專為需要偶爾且僅部分重寫的應用而設計。EAROM可用作對苛刻系統設定資料進行非易失性儲存，在某些應用中，EAROM已被中央電源供電並由鋰電池備份的CMOS RAM所取代。
快閃記憶體 - 它是1984年設計的一種新型EEPROM。快閃記憶體比普通EEPROM擦除和重寫速度更快，並且最新設計功能具有非常高的耐久性（超過100,000次迴圈）。
最新的NAND快閃記憶體有效地利用了矽晶片空間，從而產生了單個IC，截至2007年大小高達32GB，此功能以及耐久性和物理永續性，使NAND快閃記憶體能夠在各種應用中取代磁儲存，包括USB快閃記憶體驅動器。
快閃記憶體用作早期ROM型別的替代時稱為快閃記憶體ROM或快閃記憶體EEPROM，但在利用其快速且重複更改能力的應用中則不使用此名稱。
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